espressif ESP32-WROOM-32E بلوٹوتھ لو انرجی وائی فائی صارف دستی
ختمview
ESP32 -WROOM -32E ایک طاقتور، عام وائی فائی -BT -BLE MCU ماڈیول ہے جو مختلف قسم کی ایپلی کیشنز کو نشانہ بناتا ہے، جس میں کم طاقت والے سینسر نیٹ ورکس سے لے کر انتہائی ضروری کام جیسے کہ وائس انکوڈنگ، میوزک اسٹریمنگ اور MP3 ڈیکوڈنگ شامل ہیں۔ یہ ایک SMD ماڈیول ہے جس میں بورڈ پر 2.4 GHz PCB اینٹینا ہے۔ یہ اینٹینا مائبادا ملاپ کے لیے π ٹیوننگ سرکٹ کو محفوظ رکھتا ہے۔ یہ پن آؤٹ پر موجود تمام GPIOs کے ساتھ ہے سوائے ان کے جو پہلے سے فلیش کنیکٹ کرنے کے لیے استعمال ہو چکے ہیں۔ ماڈیول کی ورکنگ والیومtage کی حد 3.0 V سے 3.6 V تک ہوسکتی ہے۔ فریکوئنسی کی حد 2400 MHz سے 2483.5 MHz ہے۔ سسٹم کے لیے کلاک سورس کے طور پر بیرونی 40 میگاہرٹز۔ صارف کے پروگراموں اور ڈیٹا کو ذخیرہ کرنے کے لیے 4 MB SPI فلیش بھی ہے۔ ESP32 -WROOM -32E کی آرڈرنگ معلومات درج ذیل ہیں:
| ماڈیول | چپ ایمبیڈڈ | فلیش | PSRAM | ماڈیول طول و عرض (ملی میٹر) |
| ESP32-WROOM-32E | ESP32-D0WD- V3 | 4 ایم بی 1 | / | (18.00 ± 0.10) X (25.50 ± 0.10) X (3.10 ± 0.10) ملی میٹر (بشمول دھاتی شیلڈ) |
| نوٹ: 1۔ ESP32-WROOM-32E (PCB) 8 MB فلیش یا 16 MB فلیش کے ساتھ حسب ضرورت آرڈر کے لیے دستیاب ہے۔2۔ آرڈر کی تفصیلی معلومات کے لیے، براہ کرم ملاحظہ کریں۔e Espressif پروڈکٹ آرڈرنگ کی اطلاععمل.3. IPEX کنیکٹر کے طول و عرض کے لیے، براہ کرم باب 10 دیکھیں۔ | ||||
ماڈیول کے مرکز میں ESP32 -D0WD -V3 چپ* ہے۔ سرایت شدہ چپ توسیع پذیر اور موافقت پذیر ہونے کے لیے ڈیزائن کی گئی ہے۔ دو سی پی یو کور ہیں جنہیں انفرادی طور پر کنٹرول کیا جا سکتا ہے، اور سی پی یو کلاک فریکوئنسی 80 میگا ہرٹز سے 240 میگاہرٹز تک ایڈجسٹ ہوتی ہے۔ صارف CPU کو بھی بند کر سکتا ہے اور کم طاقت والے کو-پروسیسر کا استعمال کر سکتا ہے تاکہ تبدیلیوں یا حدوں کو عبور کرنے کے لیے پیری فیرلز کی مسلسل نگرانی کر سکے۔ ESP32 پیری فیرلز کے ایک بھرپور سیٹ کو مربوط کرتا ہے، جس میں کیپسیٹو ٹچ سینسرز، ہال سینسرز، SD کارڈ انٹرفیس، ایتھرنیٹ، ہائی اسپیڈ SPI، UART، I²S اور I²C شامل ہیں۔
ESP32 کے لیے منتخب کردہ آپریٹنگ سسٹم LwIP کے ساتھ freeRTOS ہے۔ ہارڈویئر ایکسلریشن کے ساتھ TLS 1.2 بھی شامل ہے۔ سیکیور (انکرپٹڈ) اوور دی ایئر (OTA) اپ گریڈ کو بھی سپورٹ کیا گیا ہے، تاکہ صارفین اپنی مصنوعات کو ریلیز کرنے کے بعد بھی، کم سے کم لاگت اور کوشش پر اپ گریڈ کر سکیں۔ جدول 2 ESP32 WROOM 32E کی وضاحتیں فراہم کرتا ہے۔
جدول 2: ESP32-WROOM-32E تفصیلات
| زمرے | اشیاء | وضاحتیں |
| ٹیسٹ | اعتماد | HTOL/HTSL/uHAST/TCT/ESD |
|
وائی فائی |
پروٹوکولز | 802.11 b/g/n20/n40 |
| A-MPDU اور A-MSDU جمع اور 0.4 s گارڈ ان انٹرول سپورٹ | ||
| تعدد کی حد | 2.412 GHz ~ 2.462GHz | |
|
بلوٹوتھ |
پروٹوکولز | بلوٹوتھ v4.2 BR/EDR اور BLE تفصیلات |
| ریڈیو | NZIF رسیور -97 dBm حساسیت کے ساتھ | |
| کلاس 1، کلاس 2 اور کلاس 3 ٹرانسمیٹر | ||
| اے ایف ایچ | ||
| آڈیو | CVSD اور SBC | |
|
ہارڈ ویئر |
ماڈیول انٹرفیس | SD کارڈ، UART، SPI، SDIO، I2C، LED PWM، Motor PWM، I2S، IR، پلس کاؤنٹر، GPIO، capacitive touch sensor، ADC، DAC |
| آن چپ سینسر | ہال سینسر | |
| انٹیگریٹڈ کرسٹل | 40 میگاہرٹز کرسٹل | |
| انٹیگریٹڈ SPI فلیش | 4 MB | |
| انٹیگریٹڈ PSRAM | - | |
| آپریٹنگ جلدtage/بجلی کی فراہمی | 3.0 V ~ 3.6 V | |
| بجلی کی فراہمی کے ذریعے کم سے کم کرنٹ ڈیلیور کیا جاتا ہے۔ | 500 ایم اے | |
| تجویز کردہ آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد | -40 °C ~ 85 °C | |
| پیکیج کا سائز | (18.00±0.10) ملی میٹر × (31.40±0.10) ملی میٹر × (3.30±0.10) ملی میٹر | |
| نمی کی حساسیت کی سطح (MSL) | لیول 3 |
پن کی تعریفیں
پن لے آؤٹ
پن کی تفصیل
ESP32 WROOM 32E میں 38 پن ہیں۔ جدول 3 میں پن کی تعریفیں دیکھیں۔
| نام | نہیں | قسم | فنکشن |
| جی این ڈی | 1 | P | گراؤنڈ |
| 3V3 | 2 | P | بجلی کی فراہمی |
| EN | 3 | I | ماڈیول کو فعال کرنے والا سگنل۔ فعال اعلی. |
| SENSOR_VP | 4 | I | GPIO36, ADC1_CH0, RTC_GPIO0 |
| SENSOR_VN | 5 | I | GPIO39, ADC1_CH3, RTC_GPIO3 |
| IO34 | 6 | I | GPIO34, ADC1_CH6, RTC_GPIO4 |
| IO35 | 7 | I | GPIO35, ADC1_CH7, RTC_GPIO5 |
| IO32 | 8 | I/O | GPIO32، XTAL_32K_P (32.768 kHz کرسٹل آسکیلیٹر ان پٹ)، ADC1_CH4،TOUCH9، RTC_GPIO9 |
| IO33 | 9 | I/O | GPIO33، XTAL_32K_N (32.768 kHz کرسٹل آسکیلیٹر آؤٹ پٹ)، ADC1_CH5، TOUCH8، RTC_GPIO8 |
| IO25 | 10 | I/O | GPIO25, DAC_1, ADC2_CH8, RTC_GPIO6, EMAC_RXD0 |
| IO26 | 11 | I/O | GPIO26, DAC_2, ADC2_CH9, RTC_GPIO7, EMAC_RXD1 |
| IO27 | 12 | I/O | GPIO27, ADC2_CH7, TOUCH7, RTC_GPIO17, EMAC_RX_DV |
| IO14 | 13 | I/O | GPIO14, ADC2_CH6, TOUCH6, RTC_GPIO16, MTMS, HSPICLK, HS2_CLK, SD_CLK, EMAC_TXD2 |
| IO12 | 14 | I/O | GPIO12, ADC2_CH5, TOUCH5, RTC_GPIO15, MTDI, HSPIQ, HS2_DATA2, SD_DATA2, EMAC_TXD3 |
| جی این ڈی | 15 | P | گراؤنڈ |
| IO13 | 16 | I/O | GPIO13, ADC2_CH4, TOUCH4, RTC_GPIO14, MTCK, HSPID,HS2_DATA3, SD_DATA3, EMAC_RX_ER |
| NC | 17 | - | - |
| NC | 18 | - | - |
| NC | 19 | - | - |
| NC | 20 | - | - |
| NC | 21 | - | - |
| NC | 22 | - | - |
| IO15 | 23 | I/O | GPIO15, ADC2_CH3, TOUCH3, MTDO, HSPICS0, RTC_GPIO13,HS2_CMD, SD_CMD, EMAC_RXD3 |
| IO2 | 24 | I/O | GPIO2, ADC2_CH2, TOUCH2, RTC_GPIO12, HSPIWP, HS2_DATA0, SD_DATA0 |
| IO0 | 25 | I/O | GPIO0, ADC2_CH1, TOUCH1, RTC_GPIO11, CLK_OUT1,EMAC_TX_CLK |
| IO4 | 26 | I/O | GPIO4, ADC2_CH0, TOUCH0, RTC_GPIO10, HSPIHD, HS2_DATA1, SD_DATA1, EMAC_TX_ER |
| IO16 | 27 | I/O | GPIO16, HS1_DATA4, U2RXD, EMAC_CLK_OUT |
| IO17 | 28 | I/O | GPIO17, HS1_DATA5, U2TXD, EMAC_CLK_OUT_180 – |
| IO5 | 29 | I/O | GPIO5, VSPICS0, HS1_DATA6, EMAC_RX_CLK |
| IO18 | 30 | I/O | GPIO18, VSPICLK, HS1_DATA7 |
پٹی پن
ESP32 میں پانچ اسٹریپنگ پن ہیں، جنہیں باب 6 اسکیمیٹکس میں دیکھا جا سکتا ہے:
- ایم ٹی ڈی آئی
- جی پی آئی او 0
- جی پی آئی او 2
- ایم ٹی ڈی او
- جی پی آئی او 5
سافٹ ویئر رجسٹر ”GPIO_STRAPPING“ سے ان پانچ بٹس کی قدروں کو پڑھ سکتا ہے۔
چپ ری سیٹ کے دوران ہر اسٹریپنگ پن اس کے اندرونی پل اپ/پل-ڈاؤن سے منسلک ہوتا ہے۔ نتیجتاً، اگر اسٹریپنگ پن غیر منسلک ہے یا منسلک بیرونی سرکٹ زیادہ رکاوٹ ہے، تو اندرونی کمزور پل-اپ/پل-ڈاؤن اسٹریپنگ پن کے پہلے سے طے شدہ ان پٹ لیول کا تعین کرے گا۔ اسٹریپنگ بٹ ویلیوز کو تبدیل کرنے کے لیے، صارف بیرونی پل-ڈاؤن/پل-اپ مزاحمت کا اطلاق کر سکتے ہیں، یا والیوم کو کنٹرول کرنے کے لیے میزبان MCU کے GPIOs کا استعمال کر سکتے ہیں۔tagESP32 پر پاور کرتے وقت ان پنوں کی e لیول۔ ری سیٹ ریلیز کے بعد، سٹراپنگ پن نارمل فنکشن پن کے طور پر کام کرتے ہیں۔ سٹراپنگ پن کے ذریعے تفصیلی بوٹ موڈ کنفیگریشن کے لیے جدول 4 سے رجوع کریں۔
| بوٹنگ موڈ | |||||
| پن | طے شدہ | ایس پی آئی بوٹ | بوٹ ڈاؤن لوڈ کریں۔ | ||
| جی پی آئی او 0 | پل اپ | 1 | 0 | ||
| جی پی آئی او 2 | نیچے ھیںچو | پرواہ نہ کرو | 0 | ||
| بوٹنگ کے دوران U0TXD پر ڈیبگنگ لاگ پرنٹ کو فعال/غیر فعال کرنا | |||||
| پن | طے شدہ | U0TXD ایکٹو | U0TXD خاموش | ||
| ایم ٹی ڈی او | پل اپ | 1 | 0 | ||
| SDIO غلام کا وقت | |||||
| پن | طے شدہ | گرتا ہوا ایسamplingFalling-edge Output | گرتا ہوا ایسamplingRising-edge آؤٹ پٹ | رائزنگ ایج ایسamplingFalling-edge Output | رائزنگ ایج ایسamplingRising-edge آؤٹ پٹ |
| ایم ٹی ڈی او | پل اپ | 0 | 0 | 1 | 1 |
| جی پی آئی او 5 | پل اپ | 0 | 1 | 0 | 1 |
نوٹ:
- فرم ویئر رجسٹر بٹس کو ترتیب دے سکتا ہے تاکہ ”والیومtagبوٹنگ کے بعد اندرونی LDO (VDD_SDIO)" اور "SDIO غلام کا وقت"۔
- MTDI کے لیے اندرونی پل اپ ریزسٹر (R9) ماڈیول میں نہیں ہے، کیونکہ ESP32 -32E میں فلیش اور SRAM صرف پاور والیوم کو سپورٹ کرتے ہیں۔tag3.3 V کا e (آؤٹ پٹ بذریعہ VDD_SDIO)
فنکشنل تفصیل
یہ باب ESP32 -WROOM -32E میں مربوط ماڈیولز اور افعال کی وضاحت کرتا ہے۔
سی پی یو اور اندرونی میموری
ESP32 D0WD V3 دو کم طاقت والے Xtensa ® 32 bit LX6 مائکرو پروسیسرز پر مشتمل ہے۔ اندرونی میموری میں شامل ہیں: • بوٹنگ اور بنیادی افعال کے لیے ROM کا 448 KB۔
- ڈیٹا اور ہدایات کے لیے 520 KB آن چپ SRAM۔
- RTC میں SRAM کا 8 KB، جسے RTC فاسٹ میموری کہا جاتا ہے اور ڈیٹا اسٹوریج کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ ڈیپ سلیپ موڈ سے RTC بوٹ کے دوران مین CPU کے ذریعے اس تک رسائی حاصل کی جاتی ہے۔
- RTC میں SRAM کا 8 KB، جسے RTC سلو میموری کہا جاتا ہے اور ڈیپ سلیپ موڈ کے دوران شریک پروسیسر کے ذریعے اس تک رسائی حاصل کی جا سکتی ہے۔
- eFuse کا 1 Kbit: 256 بٹس سسٹم (MAC ایڈریس اور چپ کنفیگریشن) کے لیے استعمال کیے جاتے ہیں اور بقیہ 768 بٹس کسٹمر ایپلی کیشنز کے لیے مخصوص ہیں، بشمول فلیش-انکرپشن اور چپ -ID۔
بیرونی فلیش اور SRAM
ESP32 متعدد بیرونی QSPI فلیش اور SRAM چپس کو سپورٹ کرتا ہے۔ مزید تفصیلات ESP32 تکنیکی حوالہ جات کے باب SPI میں دیکھی جا سکتی ہیں۔ ESP32 AES کی بنیاد پر ہارڈویئر انکرپشن/ڈیکرپشن کو بھی سپورٹ کرتا ہے تاکہ ڈویلپرز کے پروگراموں اور فلیش میں ڈیٹا کو پرو ٹییکٹ کیا جا سکے۔ ESP32 تیز رفتار کیشز کے ذریعے بیرونی QSPI فلیش اور SRAM تک رسائی حاصل کر سکتا ہے۔
- بیرونی فلیش کو سی پی یو انسٹرکشن میموری اسپیس میں میپ کیا جا سکتا ہے اور صرف پڑھنے کی میموری کی جگہ بیک وقت۔ - جب بیرونی فلیش کو سی پی یو انسٹرکشن میموری اسپیس میں میپ کیا جاتا ہے، تو ایک وقت میں 11 MB + 248 KB تک میپ کیا جا سکتا ہے۔ نوٹ کریں کہ اگر 3 MB + 248 KB سے زیادہ کا نقشہ بنایا گیا ہے، تو CPU کی طرف سے قیاس آرائیوں کی وجہ سے کیش کی کارکردگی کم ہو جائے گی۔ - جب بیرونی فلیش کو صرف پڑھنے کے لیے ڈیٹا میموری کی جگہ میں میپ کیا جاتا ہے، تو ایک وقت میں 4 MB تک میپ کیا جا سکتا ہے۔ 8 بٹ، 16 بٹ اور 32 بٹ ریڈز سپورٹ ہیں۔
- بیرونی SRAM کو CPU ڈیٹا میموری اسپیس میں میپ کیا جا سکتا ہے۔ ایک وقت میں 4 MB تک میپ کیا جا سکتا ہے۔ 8-بٹ، 16-بٹ اور 32-بٹ ریڈز اور رائٹ سپورٹ ہیں۔ ESP32 -WROOM -32E ایک 4 MB SPI فلیش زیادہ میموری کی جگہ کو مربوط کرتا ہے۔
آر ٹی سی اور کم پاور مینجمنٹ
اعلی درجے کی پاور مینجمنٹ ٹیکنالوجیز کے استعمال کے ساتھ، ESP32 مختلف پاور موڈز کے درمیان سوئچ کر سکتا ہے۔ مختلف پاور موڈز میں ESP32 کی بجلی کی کھپت کے بارے میں تفصیلات کے لیے، ESP32 User Manua میں سیکشن ”RTC اور Low – Power Management“ سے رجوع کریں۔
پیری فیرلز اور سینسر
نوٹ:
6 -11، 16، یا 17 رینج کے GPIO کے علاوہ کسی بھی GPIO سے بیرونی کنکشن بنائے جا سکتے ہیں۔ GPIOs 6 -11 ماڈیول کے مربوط SPI فلیش سے جڑے ہوئے ہیں۔ تفصیلات کے لیے، براہ کرم سیکشن 6 سکیمیٹکس دیکھیں۔
برقی خصوصیات
مطلق زیادہ سے زیادہ درجہ بندی
نیچے دیے گئے جدول میں درج مطلق زیادہ سے زیادہ درجہ بندی سے زیادہ دباؤ آلہ کو مستقل نقصان پہنچا سکتا ہے۔ یہ صرف تناؤ کی درجہ بندی ہیں، اور آلہ کے فعال آپریشن کا حوالہ نہیں دیتے ہیں جو تجویز کردہ آپریٹنگ شرائط پر عمل کرے۔
- ماڈیول نے 24 °C پر محیطی درجہ حرارت میں 25 گھنٹے کے ٹیسٹ کے بعد ٹھیک سے کام کیا، اور تین ڈومینز (VDD3P3_RTC، VDD3P3_CPU، VDD_SDIO) میں IOs نے زمین پر اعلی منطقی سطح کو آؤٹ پٹ کیا۔
- براہ کرم IO کی طاقت کے لیے ESP32 ڈیٹا شیٹ کا ضمیمہ IO_MUX دیکھیں
تجویز کردہ آپریٹنگ حالات
| علامت | پیرامیٹر | کم از کم | عام | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| وی ڈی ڈی 33 | بجلی کی فراہمی جلدtage | 3.0 | 3.3 | 3.6 | V |
| Iوی ڈی ڈی | بیرونی بجلی کی فراہمی کے ذریعے فراہم کردہ کرنٹ | 0.5 | - | - | A |
| T | آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 | - | 85 | °C |
ڈی سی کی خصوصیات (3.3 V، 25 ° C)
| علامت | پیرامیٹر | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ | |
| CIN | پن کی گنجائش | - | 2 | - | pF | |
| VIH | ہائی لیول ان پٹ والیومtage | 0.75×VDD1 | - | وی ڈی ڈی 1 + 0.3 | V | |
| VIL | کم درجے کی ان پٹ والیومtage | -0.3 | - | 0.25×VDD1 | V | |
| IIH | اعلی درجے کی ان پٹ کرنٹ | - | - | 50 | nA | |
| IIL | کم درجے کا ان پٹ کرنٹ | - | - | 50 | nA | |
| VOH | ہائی لیول آؤٹ پٹ والیومtage | 0.8×VDD1 | - | - | V | |
| VOL | کم سطح کی پیداوار والیومtage | - | - | 0.1×VDD1 | V | |
| IOH | اعلی سطحی ذریعہ کرنٹ (VDD1 = 3.3 V، VOH >= 2.64 V، آؤٹ پٹ ڈرائیو کی طاقت زیادہ سے زیادہ پر سیٹ ہے) | VDD3P3_CPU پاور ڈومین 1; 2 | - | 40 | - | mA |
| VDD3P3_RTC پاور ڈومین 1; 2 | - | 40 | - | mA | ||
| VDD_SDIO پاور ڈومین 1; 3 | - | 20 | - | mA | ||
| علامت | پیرامیٹر | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| IOL | لو لیول سنک کرنٹ(VDD1 = 3.3 V، VOL = 0.495 V، آؤٹ پٹ ڈرائیو کی طاقت زیادہ سے زیادہ پر سیٹ ہے) | - | 28 | - | mA |
| Rپنجاب یونیورسٹی | اندرونی پل اپ ریزسٹر کی مزاحمت | - | 45 | - | kΩ |
| Rپی ڈی | اندرونی پل-ڈاؤن ریزسٹر کی مزاحمت | - | 45 | - | kΩ |
| VIL_nRST | کم درجے کی ان پٹ والیومtagچپ کو پاور آف کرنے کے لیے CHIP_PU کا e | - | - | 0.6 | V |
نوٹس:
- براہ کرم IO کے پاور ڈومین کے لیے ESP32 ڈیٹا شیٹ کا ضمیمہ IO_MUX دیکھیں۔ VDD I/O والیوم ہے۔tage پنوں کے مخصوص پاور ڈومین کے لیے۔
- VDD3P3_CPU اور VDD3P3_RTC پاور ڈومین کے لیے، ایک ہی ڈومین میں حاصل کردہ فی پن کرنٹ بتدریج تقریباً 40 mA سے کم ہو کر تقریباً 29 mA، VOH>=2.64 V ہو جاتا ہے، کیونکہ کرنٹ سورس پن کی تعداد میں اضافہ ہوتا ہے۔
- VDD_SDIO پاور ڈومین میں فلیش اور/یا PSRAM کے زیر قبضہ پنوں کو ٹیسٹ سے خارج کر دیا گیا تھا۔
وائی فائی ریڈیو
| پیرامیٹر | حالت | کم از کم | عام | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| آپریٹنگ فریکوئنسی رینج نوٹ1 | - | 2412 | - | 2462 | میگاہرٹز |
| آر ایف پاور | 802.11b:26dBm802.11g:25.42dBm802.11n20:25.48dBm802.11n40:25.78dBm |
dBm |
|||
| حساسیت | 11b، 1 Mbps | - | -98 | - | dBm |
| 11b، 11 Mbps | - | -89 | - | dBm | |
| 11 گرام، 6 ایم بی پی ایس | - | -92 | - | dBm | |
| 11 گرام، 54 ایم بی پی ایس | - | -74 | - | dBm | |
| 11n، HT20، MCS0 | - | -91 | - | dBm | |
| 11n، HT20، MCS7 | - | -71 | - | dBm | |
| 11n، HT40، MCS0 | - | -89 | - | dBm | |
| 11n، HT40، MCS7 | - | -69 | - | dBm | |
| ملحقہ چینل کو مسترد کرنا | 11 گرام، 6 ایم بی پی ایس | - | 31 | - | dB |
| 11 گرام، 54 ایم بی پی ایس | - | 14 | - | dB | |
| 11n، HT20، MCS0 | - | 31 | - | dB | |
| 11n، HT20، MCS7 | - | 13 | - | dB | |
بلوٹوتھ/BLE ریڈیو
| پیرامیٹر | شرائط | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| حساسیت @30.8% PER | - | - | -97 | - | dBm |
| زیادہ سے زیادہ موصول ہونے والا سگنل @30.8% PER | - | 0 | - | - | dBm |
| شریک چینل C/I | - | - | +10 | - | dB |
|
ملحقہ چینل سلیکٹیوٹی C/I |
F = F0 + 1 میگاہرٹز | - | -5 | - | dB |
| F = F0 – 1 میگاہرٹز | - | -5 | - | dB | |
| F = F0 + 2 میگاہرٹز | - | -25 | - | dB | |
| F = F0 – 2 میگاہرٹز | - | -35 | - | dB | |
| F = F0 + 3 میگاہرٹز | - | -25 | - | dB | |
| F = F0 – 3 میگاہرٹز | - | -45 | - | dB | |
|
آؤٹ آف بینڈ بلاک کرنے کی کارکردگی |
30 میگاہرٹز ~ 2000 میگاہرٹز | -10 | - | - | dBm |
| 2000 میگاہرٹز ~ 2400 میگاہرٹز | -27 | - | - | dBm | |
| 2500 میگاہرٹز ~ 3000 میگاہرٹز | -27 | - | - | dBm | |
| 3000 میگا ہرٹز ~ 12.5 گیگا ہرٹز | -10 | - | - | dBm | |
| Intermodulation | - | -36 | - | - | dBm |
ٹرانسمیٹر
| پیرامیٹر | شرائط | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| آر ایف فریکوئنسی | - | 2402 | - | 2480 | میگاہرٹز |
| کنٹرول قدم حاصل کریں۔ | - | - | 3 | - | dBm |
| آر ایف پاور کنٹرول رینج | - | -12 | - | +10 | dBm |
| ملحقہ چینل پاور ٹرانسمٹ کرتا ہے۔ | F = F0 ± 2 میگاہرٹز | - | -52 | - | dBm |
| F = F0 ± 3 میگاہرٹز | - | -58 | - | dBm | |
| F = F0 ± > 3 MHz | - | -60 | - | dBm | |
| ∆ f1 اوسط | - | - | - | 265 | kHz |
| ∆ f2 زیادہ سے زیادہ | - | 247 | - | - | kHz |
| ∆ f2 اوسط/∆ f1 اوسط | - | - | -0.92 | - | - |
| آئی سی ایف ٹی | - | - | -10 | - | kHz |
| بہاؤ کی شرح | - | - | 0.7 | - | kHz/50 s |
| بہاؤ | - | - | 2 | - | kHz |
ری فلو پروfile
Ramp اپ زون - درجہ حرارت: <150 وقت: 60 ~ 90s Ramp اوپر کی شرح: 1 ~ 3 / سیکنڈ پری ہیٹنگ زون - درجہ حرارت: 150 ~ 200 وقت: 60 ~ 120s Ramp اوپر کی شرح: 0.3 ~ 0.8 / سیکنڈ
ریفلو زون - درجہ حرارت: >217 7LPH60 ~ 90s; چوٹی کا درجہ حرارت: 235 ~ 250 (<245 تجویز کردہ) وقت: 30 ~ 70
کولنگ زون — چوٹی کا درجہ حرارت۔ ~ 180 آرamp نیچے کی شرح: -1 ~ -5 /s
اینٹینا نردجیکرن
طول و عرض:
پیٹرن پلاٹ:
نظرثانی کی تاریخ
| تاریخ | ورژن | ریلیز نوٹس |
| 2020.02 | V0.1 | سرٹیفیکیشن CE اور FCC کے لیے ابتدائی ریلیز۔ |
OEM رہنمائی
- قابل اطلاق FCC قواعد یہ ماڈیول سنگل ماڈیولر منظوری کے ذریعے عطا کیا گیا ہے۔ یہ FCC حصہ 15C، سیکشن 15.247 قواعد کی ضروریات کی تعمیل کرتا ہے۔
- مخصوص آپریشنل استعمال کی شرائط یہ ماڈیول IoT آلات میں استعمال کیا جا سکتا ہے۔ ان پٹ والیومtagماڈیول میں e برائے نام 3.3V-3.6 V DC ہے۔ ماڈیول کا آپریشنل محیط درجہ حرارت -30 سے 85 ڈگری سینٹی گریڈ ہے۔ صرف ایمبیڈڈ پی سی بی اینٹینا کی اجازت ہے۔ کوئی دوسرا بیرونی اینٹینا ممنوع ہے۔
- محدود ماڈیول طریقہ کار N/A
- ٹریس اینٹینا ڈیزائن N/A
- آر ایف کی نمائش کے تحفظات
یہ سامان FCC تابکاری کی نمائش کی حدوں کی تعمیل کرتا ہے جو غیر کنٹرول شدہ ماحول کے لیے مقرر کی گئی ہے۔ آلات میں ریڈی ایٹر اور باڈی کے درمیان بلوٹوتھ ریڈیو <20 سینٹی میٹر کے پورٹیبل استعمال کے لیے ضروری اضافی RF ایکسپوژر ایویلیویشن ہے۔ موبائل سے پورٹیبل میں ماڈیول کی RF نمائش کی حالت میں تبدیلی کے لیے، Wi-Fi ریڈیو غیر فعال ہے۔ - اینٹینا اینٹینا کی قسم: پی سی بی اینٹینا؛ چوٹی کا فائدہ: 3.40dBi
- لیبل اور تعمیل کی معلومات OEM کی آخری مصنوعات پر ایک بیرونی لیبل مندرجہ ذیل الفاظ استعمال کر سکتا ہے: "ٹرانسمیٹر ماڈیول FCC ID: 2A9ZM-WROOM32E پر مشتمل ہے" یا "FCC ID: 2A9ZM-WROOM32E پر مشتمل ہے۔"
- ٹیسٹ کے طریقوں اور اضافی جانچ کی ضروریات کے بارے میں معلومات
a)ماڈیولر ٹرانسمیٹر کو ماڈیول گرانٹی کی طرف سے مطلوبہ تعداد میں چینلز، ماڈیولیشن کی اقسام، اور طریقوں پر مکمل طور پر جانچ لیا گیا ہے، میزبان انسٹالر کے لیے تمام دستیاب ٹرانسمیٹر طریقوں یا ترتیبات کو دوبارہ جانچنا ضروری نہیں ہونا چاہیے۔ یہ تجویز کیا جاتا ہے کہ میزبان پروڈکٹ مینوفیکچرر، ماڈیولر ٹرانسمیٹر کو انسٹال کرتے ہوئے، اس بات کی تصدیق کرنے کے لیے کچھ تحقیقاتی پیمائشیں انجام دے کہ نتیجے میں آنے والا کمپوزٹ سسٹم جعلی اخراج کی حد یا بینڈ ایج کی حد سے تجاوز نہیں کرتا ہے (مثلاً، جہاں ایک مختلف اینٹینا اضافی اخراج کا باعث ہو سکتا ہے)۔
b)ٹیسٹنگ کو ان اخراج کی جانچ کرنی چاہیے جو دیگر ٹرانسمیٹر، ڈیجیٹل سرکٹری، یا میزبان پروڈکٹ (انکلوژر) کی طبعی خصوصیات کے ساتھ اخراج کے اخراج کی وجہ سے ہو سکتے ہیں۔ یہ تفتیش خاص طور پر اہم ہے جب متعدد ماڈیولر ٹرانسمیٹروں کو مربوط کرتے ہوئے جہاں سرٹیفیکیشن ان میں سے ہر ایک کو اسٹینڈ اکیلے کنفیگریشن میں جانچنے پر مبنی ہے۔ یہ نوٹ کرنا ضروری ہے کہ میزبان پروڈکٹ مینوفیکچررز کو یہ فرض نہیں کرنا چاہیے کیونکہ ماڈیولر ٹرانسمیٹر تصدیق شدہ ہے کہ ان کے پاس حتمی مصنوعات کی تعمیل کی کوئی ذمہ داری نہیں ہے۔
c)اگر تفتیش تعمیل کی تشویش کی نشاندہی کرتی ہے تو میزبان پروڈکٹ مینوفیکچرر اس مسئلے کو کم کرنے کا پابند ہے۔ ماڈیولر ٹرانسمیٹر کا استعمال کرتے ہوئے میزبان مصنوعات تمام قابل اطلاق انفرادی تکنیکی اصولوں کے ساتھ ساتھ سیکشن 15.5، 15.15، اور 15.29 میں آپریشن کی عمومی شرائط کے تابع ہیں تاکہ مداخلت نہ ہو۔ میزبان پروڈکٹ کا آپریٹر اس وقت تک آلہ کو آپریٹ کرنا بند کرنے کا پابند ہو گا جب تک مداخلت درست نہیں ہو جاتی۔ - اضافی ٹیسٹنگ، حصہ 15 ذیلی حصہ B ڈس کلیمر حتمی میزبان/ ماڈیول کے امتزاج کا غیر ارادی ریڈی ایٹرز کے لیے FCC پارٹ 15B کے معیار کے خلاف جائزہ لینے کی ضرورت ہے تاکہ پارٹ 15 ڈیجیٹل ڈیوائس کے طور پر آپریشن کے لیے مناسب طریقے سے اختیار کیا جائے۔
FCC وارننگ:
تعمیل کے لیے ذمہ دار فریق کی طرف سے واضح طور پر منظور نہ کی گئی کوئی تبدیلی یا ترمیم صارف کے آلات کو چلانے کے اختیار کو ختم کر سکتی ہے۔ یہ آلہ FCC قواعد کے حصہ 15 کی تعمیل کرتا ہے۔ آپریشن مندرجہ ذیل دو شرائط کے ساتھ مشروط ہے: (1) یہ آلہ نقصان دہ مداخلت کا سبب نہیں بن سکتا، اور (2) اس آلہ کو موصول ہونے والی کسی بھی مداخلت کو قبول کرنا چاہیے، بشمول مداخلت جو ناپسندیدہ آپریشن کا سبب بن سکتی ہے۔
دستاویزات / وسائل
 |
espressif ESP32-WROOM-32E بلوٹوتھ لو انرجی وائی فائی [پی ڈی ایف] یوزر مینوئل ESP32-WROOM-32E بلوٹوتھ لو انرجی وائی فائی، ESP32-WROOM-32E، بلوٹوتھ لو انرجی وائی فائی، لو انرجی وائی فائی، انرجی وائی فائی، وائی فائی |
